块字的结构_块字的结构

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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,专利技术能有效提高字线...金融界2024年4月5日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117835694A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构及其制备方法,该半导体结构包括衬底和多条字线;多条字线均沿第一方向延伸...

长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,提高了位线的性能一种半导体结构及其制备方法,所述制备方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括存储阵列区和外围电路区,其中所述存储阵列区中形成有多个分立的有源区,在所述有源区形成有两个字线沟槽结构,所述两个字线沟槽结构将每一个有源区分为位于两个字线沟槽结构之间的漏区和分别...

≥﹏≤ 金卡智能取得一种基于电容量判断字轮位置的计数结构专利,具有无...金融界2024年3月20日消息,据国家知识产权局公告,金卡智能集团股份有限公司取得一项名为“一种基于电容量判断字轮位置的计数结构“,授权公告号CN109540178B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示,本发明涉及计量计数技术领域,尤其涉及一种基于电容量判断字轮位置的计数...

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长鑫存储申请半导体结构及半导体结构的制备方法专利,能够在保证...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法“,公开号CN117832196A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法,该半导体结构包括:半导体基底,半导体基底包括有源区,半导体基底中具有字线沟槽;栅介...

三星取得集成电路器件及其制造方法专利,实现字线结构、绝缘结构、...金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“,授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错...

＼　＿　／ 长鑫存储取得晶体管结构专利,晶体管中形成的漏极沉入凹槽增加了源...本发明提供一种采用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法,该晶体管结构包括衬底、隔离结构、漏极沉入凹槽、第一字线沟槽、第二字线沟槽、埋入式字线、位线沟槽及埋入式位线。本发明的制造方法通过形成漏极沉入凹槽改变晶体管的结构,使得晶体管具有埋入式的位线,晶体管中形...

长鑫存储取得半导体存储器件结构及其制作方法专利,降低了工艺复杂...金融界2024年4月1日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体存储器件结构及其制作方法“,授权公告号CN107994018B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法,存储器件结构包括半导体衬底、字线结...

长鑫存储取得晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法专利,降低了...本发明提供一种晶体管结构、存储单元阵列及制备方法,晶体管制备包括:提供具有有源区的半导体衬底,于有源区内形成沟槽结构;于沟槽结构底部及侧壁形成介质层;于介质层底部及局部侧壁形成字线表面层,及包括结合于字线表面层表面的填充部及填充部顶上的凸起部的字线实体层,字线...

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?▽? 长鑫存储申请半导体结构及其形成方法专利,简化了水平字线的形成...形成晶体管结构于所述第一沟槽内,所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构;形成沿所述第二方向延伸的字线,所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺,降低了半导体...

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长鑫存储取得字线引出结构及其制备方法专利,可以减小字线引出结构...金融界2023年12月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“字线引出结构及其制备方法“,授权公告号CN113745193B,申请日期为2020年5月。专利摘要显示,本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法,在衬底上形成沿X轴方向延伸的字线;形成沿Y轴方向...